DMT10H010LPS-13 与 BSC160N10NS3 G 区别
| 型号 | DMT10H010LPS-13 | BSC160N10NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMT10H010LPS-13 | A-BSC160N10NS3 G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 60W |
| 宽度 | - | 5.15mm |
| 上升时间 | - | 15ns |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Qg-栅极电荷 | - | 25nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 21S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 22ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | PowerDI-5060-8 | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 42A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 13ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 13.9mΩ |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 5,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI-5060-8 |
暂无价格 | 5,000 | 当前型号 |
|
BSC160N10NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 42A 13.9mΩ 20V 60W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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